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상표:CNI
최소 주문량:1 Piece/Pieces
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포장:정적 프리 비닐 봉지 및 상자, 보호 포장
지원에 대한 지원:500
원산지:중국
생산력:500
CNI는 파장 조정 가능한 레이저를 제공하며 출력 파장은 특정 범위 내에서 지속적으로 변경 될 수 있습니다. 조정 가능한 다이오드 레이저는 고급 맞춤형 높은 안정성, 저음, 좁은 선폭, 파장 조정 가능한 제품입니다. 홀로그램 이미징, 라만, 원자 시계, 코 히어 런트 감지 등과 같은 과학 연구 및 교육에 주로 사용됩니다. CNI는 중국의 주요 제조업체 및 공급 업체로서 최상의 품질의 레이저, 레이저 시스템, 고전력 레이저, 광학 측정 장비,...
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Model No:TUN-***
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770nm ~ 840nm 조정 가능한 파장을 갖춘 LL 고체 상태 Q- 스위치 적외선 레이저는 높은 피크 전력, 높은 반복 속도 및 짧은 맥박 지속 시간을 갖추고 있으며, 이는 마킹, 조각, 측정, 과학 연구, 군사, 군사, 군사 및 곧. 스펙트럼 선면이있는 조정 가능한 좁은 선폭 레이저 <40pm CNI는 파장 조정 가능한 레이저 시스템을 제공하면 출력 파장을 특정 범위 내에서 지속적으로 변경할 수 있습니다. 조정 가능한 레이저는...
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CNI는 770 ~ 840nm의 조정 가능한 파장에서 모든 고체 상태 Q- 스위치 레드 레이저를 제공하며, 좁은 선폭, 높은 반복 속도 및 짧은 펄스 지속 시간을 가지면 출력 파장은 CE rtain 범위 내에서 지속적으로 변경 될 수 있습니다 . 마킹, 조각, 측정, 과학적 연구 등. CNI 컴팩트 한 디자인, 높은 신뢰성, 우수한 성능을 갖춘 고품질 제품뿐만 아니라 책임감 있고 신뢰할 수있는 서비스를 보유하고 있습니다. CNI 에는 전문...
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CNI는 파장 조정 가능한 레이저를 제공하며 출력 파장은 특정 범위 내에서 지속적으로 변경 될 수 있습니다. 조정 가능한 파장 적외선 레이저는 약 최대 1000mW의 A CW 출력 전력을 제공하며 광범위하게 조정 가능한 레이저 파장 범위를 갖습니다. 조정 가능한 레이저 시스템은 우수한 빔 품질, 높은 안정성 및 오랜 수명을 제공하며, 분광법, 광화학, 의학, 생물학, 원격 감지, 통합 광학, 레이저 처리 등에 널리 사용됩니다. CNI는 중국의...
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생산력:500
CNI는 적외선 파장 조정 가능 레이저를 제공하며, 출력 파장은 특정 범위 내에서 지속적으로 변경 될 수 있습니다. 일련의 레이저는 최대 최대 2000MW의 CW 출력 전력을 제공하며 넓은 튜닝 범위를 가지고 있습니다. 파장을 변경하기 위해 온도를 제어함으로써 조정 가능한 단계는 1nm입니다. 고객은 목록에서 모든 파장 범위를 주문할 수 있습니다. 분광법, 원격 감지, 의료 등에 널리 사용됩니다. CNI는 중국의 주요 제조업체 및 공급...
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생산력:500
Ti Sapphire Tunable L ASER 소스 조정 가능한 파장을 가진 출력 파장은 특정 범위 내에서 연속적으로 변경 될 수 있습니다. 좁은 선폭 조정 가능한 레이저의 선 너비는 <40pm입니다. 조정 가능한 레이저는 우수한 빔 품질, 높은 안정성 및 오랜 수명을 제공하며, 분광법, 광화학, 의학, 생물학, 통합 광학, 레이저 처리 등에 널리 사용됩니다. CNI는 중국의 주요 제조업체 및 공급 업체로서 최상의 품질의 레이저,...
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Model No:Waveform Editable System
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생산력:500
CNI는 자유롭게 편집 된 파형으로 레이저 광원을 개발했습니다. 이 모델은 섬유질이 높은 안정성과 결합되어 작동하기 쉽습니다. 광학, 생물 의학 및 레이저 변조 출력이 필요한 기타 응용 분야에서 사용할 수 있습니다. 전통적인 광학 시스템 구성에서 실험 시스템은 설정이 복잡하고 조건을 정확하게 제어 할 수 없으며 실험 시스템의 유지가 어렵습니다. 이 새로운 모델은 자체 개발 된 초보적 인 레이저 광원, 고정밀 광원 제어 시스템, 지능형 인간...
CNI는 파장 가변 레이저를 제공하며 출력 파장은 특정 범위 내에서 지속적으로 변경될 수 있습니다. 가변 레이저는 우수한 빔 품질, 높은 안정성 및 긴 수명을 제공하며 분광학, 광화학, 의학, 생물학, 통합 광학, 레이저 가공 등에 널리 사용됩니다.
사양
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Tunable Diode Laser |
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| Tunable Wavelength Band | Model | Output Power | Specifical |
| 403~407 nm | TUN- 403~407 | 1~30 mW | <0.1 nm |
| 408~412 nm | TUN- 408~412 | 1~30 mW | <0.1 nm |
| 448~452 nm | TUN- 448~452 | 1~10 mW | <0.1 nm |
| 518~522 nm | TUN- 518~522 | 1~10 mW | <0.1 nm |
| 634~643 nm | TUN- 634~643 | 1~10 mW | <0.1 nm |
| 652~658 nm | TUN- 652~658 | 1~10 mW | <0.1 nm |
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Tunable Ti : Sapphire Laser |
|||
| Tunable Wavelength Band | Model | Output Power | Specifical |
| 390~408 nm | TUN-TiA-393~408 | 1~1000 mW | <2 nm |
| 770~840 nm | TUN-TiN-770~840 | 1~400 mW | <40 pm |
| 770~840 nm | TUN-Ti-770~840 | 1~1000 mW | <2 nm |
| 770~840 nm | TUN-TiA--770~840 | 1~1300 mW | <2 nm |
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Tunable Infired Laser |
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| Tunable Wavelength Band | Model | Output Power | Specifical |
|
1400~1800 nm |
TUN-W-1400~1800 | 1~2000 mW | <2 nm |
| 2600~4450 nm | TUN-W-2600~4450 | 1~1000 mW | <2 nm |
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Pulse width 34 ns testing at 10kHz
Ti: Sapphire Laser |
Power stability < 3% Ti: Sapphire Laser |
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